金屬硅化物具有優(yōu)異的高溫抗氧化性以及良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性，已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中作為優(yōu)良的接觸材料[1-2]。隨著金屬硅化物的不斷發(fā)展，主導(dǎo)的硅化物已從鈦、鈷硅化物逐步發(fā)展到低電阻、低耗硅量以及低形成溫度的鎳硅化物。研究表明，高溫下NiSi 相易轉(zhuǎn)化成NiSi2 穩(wěn)定相，導(dǎo)致界面粗糙，電阻升高[3]。添加一定量的鉑能提高NiSi 的高 溫穩(wěn)定性，改善NiSi 界面形貌，使之適應(yīng)于精密的接觸與互連工藝[4-5]。

目前制備鎳鉑硅化物薄膜的主流方法是首先在半導(dǎo)體襯底的硅區(qū)域形成離子注入層，再在其上制備一層硅外延層，隨后采用磁控濺射法在硅外延層的表面濺射一層NiPt 薄膜，最后通過(guò)退火處理形成鎳鉑硅化物薄膜。

1、鎳鉑硅化物薄膜在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用

1.1 在肖特基二極管制造中的應(yīng)用

鎳鉑硅化物薄膜在半導(dǎo)體器件中的一個(gè)典型應(yīng)用就是肖特基二極管。肖特基二極管是一種利用金屬與N 型半導(dǎo)體接觸形成勢(shì)壘，從而具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路中。隨著肖特基二極管工藝不斷發(fā)展，金屬硅化物-硅接觸已取代了傳統(tǒng)的金屬-硅接觸，避免了表面缺陷與沾污，降低了表面態(tài)的影響，提 高了器件的正向特性、反向耐壓、反向能量沖擊、耐高溫、抗靜電、抗燒毀能力[6]。鎳鉑硅化物是目前較為理想的肖特基勢(shì)壘接觸材料，一方面鎳鉑合金作為勢(shì)壘金屬，具有良好的高溫穩(wěn)定性；另一方面可以通過(guò)合金成分配比的改變實(shí)現(xiàn)勢(shì)壘高低的調(diào)整。圖1 為一種肖特基二極管芯片示意圖，其中勢(shì)壘層3 的厚度大約為80 nm[7]。勢(shì)壘層的制備方法是通過(guò)磁控濺射在N型硅半導(dǎo)體襯底上濺射鎳鉑合金層，并且460~480℃范圍內(nèi)真空退火30 min 左右形成NiPtSi-Si 勢(shì)壘層。通常還需要濺射N(xiāo)iV、TiW等擴(kuò)散阻擋層，阻擋金屬間的互擴(kuò)散，提高器件的抗疲勞性能。

由于肖特基勢(shì)壘對(duì)界面元素的敏感依賴(lài)性，界面成分的分布變化將會(huì)對(duì)肖特基勢(shì)壘高度產(chǎn)生影響。例如，Thomas 等人[8]發(fā)現(xiàn)NiPtSi-nSi 勢(shì)壘高度介于NiSi-nSi(勢(shì)壘高度0.65 eV)與PtSi-nSi(勢(shì)壘高度0.85 eV)之間，且NiPtSi-nSi 勢(shì)壘高度ΦB 隨Ni-Pt合金薄膜中Pt 含量的增加而增加，并推斷勢(shì)壘高度ΦB 很可能與界面Pt 含量有關(guān)(如圖2 所示)，其中 Pt 含量的誤差棒對(duì)應(yīng)根據(jù)相應(yīng)沉積參數(shù)與成分分布計(jì)算出的薄膜中的鉑含量差異。Xu[9-10]等通過(guò)理論計(jì)算證明了鎳鉑合金表層鉑原子濃度將顯著影響其功函數(shù)，因此隨界面Pt 含量的增加，合金功函數(shù)增加，導(dǎo)致勢(shì)壘高度增加。

人們通過(guò)對(duì)鎳鉑合金成分配比的調(diào)整，控制勢(shì)壘層的勢(shì)壘高度，開(kāi)發(fā)了一系列不同勢(shì)壘高度的肖特基二極管，如低勢(shì)壘高度的肖特基二極管，可應(yīng)用于低激勵(lì)混頻器，同時(shí)也是熱成像系統(tǒng)的最主要器件[11]。

1.2 在半導(dǎo)體集成電路中的應(yīng)用

鎳鉑硅化物還廣泛用于超大規(guī)模集成電路(VLSI)微電子器件中源、漏、柵極與金屬電極間的接觸[12-13]。目前，Ni-5%Pt(摩爾分?jǐn)?shù))已成功應(yīng)用于65 nm 技術(shù)，Ni-10%Pt(摩爾分?jǐn)?shù))應(yīng)用于45 nm 技術(shù)。隨著半導(dǎo)體器件線(xiàn)寬的進(jìn)一步減少，很有可能需要進(jìn)一步提高鎳鉑合金中的Pt 含量來(lái)制備N(xiāo)iPtSi接觸薄膜，其原因主要是合金中Pt 含量的增加能夠提高薄膜的高溫穩(wěn)定性并且改善界面形貌、減少侵占缺陷[14]。通常磁控濺射于相應(yīng)硅器件表面的鎳鉑合金薄膜層厚度僅10 nm 左右，形成鎳鉑硅化物所采用的方法為一步或多步快速熱處理，溫度范圍為400~600℃，時(shí)間30~60 s。

近年來(lái)，人們采用原子探針層析技術(shù)(APT)，研究不同Pt 含量鎳鉑合金薄膜經(jīng)快速熱處理后的相形成以及Pt 原子分布情況[15-16]。硅化過(guò)程采用不同處理工藝，界面處可能形成θ-Ni2Si、NiSi 以及δ-Ni2Si 相，Pt 原子在其中的固溶度依次遞減。尤其是Pt 原子由于在δ-Ni2Si 相中固溶度較小而產(chǎn)生偏析集中在上表面，只有少部分在下表面(即與硅接觸 內(nèi)表面)。其中向下表面即NiPtSi/Si 內(nèi)表面偏析的Pt 原子有利于消除侵占缺陷，而在上表面則會(huì)造成NiPtSi 薄膜的阻抗增加[17]，有研究在半導(dǎo)體襯底摻雜As、B、S、In 等，通過(guò)元素偏析降低肖特基勢(shì)壘從而降低接觸電阻[16, 18-19]。而為了減小鎳鉑硅化物整體的阻抗，IBM 的專(zhuān)利采用兩步驟制造NiPtSi薄膜：第一步濺射沉積Pt 含量較高的鎳鉑合金薄膜，第二步濺射沉積Pt 含量較低的鎳鉑合金薄膜甚至不含Pt 的純鎳薄膜。這樣形成的鎳鉑硅化物薄膜上表面的Pt 含量低，有助于減小鎳鉑硅化物整體的阻抗；而下表面的Pt 含量高，利于減少或消除侵占缺陷[20]。因此在新的技術(shù)節(jié)點(diǎn)里，有可能依次采用不同Pt 含量的鎳鉑合金濺射靶材來(lái)制備具有梯度結(jié)構(gòu)的鎳鉑硅化物接觸薄膜。

2、鎳鉑合金結(jié)構(gòu)與性質(zhì)研究

對(duì)鎳鉑合金結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的研究，是制備高質(zhì)量鎳鉑合金靶材的基礎(chǔ)。鎳和鉑能以任何混合比例形成穩(wěn)定的面心立方結(jié)構(gòu)固溶體，而且在相應(yīng)成分、溫度范圍內(nèi)存在類(lèi)似于Cu-Au 體系相似的有序無(wú)序轉(zhuǎn)變，Ni-Pt 體系相晶體結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)如表1 所示，鎳鉑合金相圖如圖3 所示[21]。

滿(mǎn)足一定原子配比的鎳鉑合金在相應(yīng)臨界溫度以下形成L12Ni3Pt、L10NiPt、L12NiPt3 三種有序相，前兩者的臨界溫度分別是580、645℃。然而完全有序需要在較低溫度下長(zhǎng)時(shí)間退火處理才能得到(等原子比鎳鉑合金在610℃退火54 天或者在更低溫度400℃退火長(zhǎng)達(dá)135 天才能獲得完全有序)[22]，通過(guò)理論計(jì)算以及實(shí)驗(yàn)研究，研究者們還對(duì)鎳鉑合金的 熱穩(wěn)定性、有序轉(zhuǎn)變動(dòng)力學(xué)、有序參數(shù)等進(jìn)行了研究[22-25]。

關(guān)于鎳鉑合金的磁學(xué)性質(zhì)的研究，也是一直以來(lái)人們不斷爭(zhēng)論研究的熱點(diǎn)，且對(duì)鎳鉑靶材的質(zhì)量有著重要意義。Ni 與Pt 同屬過(guò)渡族金屬，其中Ni表現(xiàn)為鐵磁性，Pt 表現(xiàn)為順磁性，Ni-Pt 合金的磁性源于未被電子填滿(mǎn)的Ni 3d 與Pt 5d 電子軌道相互作用，合金中Ni 的磁矩十分脆弱，易受近鄰原子影響，面心立方結(jié)構(gòu)中1 個(gè)Ni 原子近鄰至少得有6個(gè)Ni 原子才能維持其磁性，因此隨Pt 含量的增加，Ni-Pt 合金磁性減弱，由鐵磁性向順磁性轉(zhuǎn)變，磁性轉(zhuǎn)變的臨界成分約為42.5%Ni(摩爾分?jǐn)?shù))，然而在臨界成分附近如等原子比鎳鉑合金，決定其磁性的主要因素為晶體結(jié)構(gòu)。研究表明，無(wú)序狀態(tài)的鎳鉑合金呈鐵磁性，而有序狀態(tài)的L10NiPt 呈順磁性[26]，這是由于L10NiPt 相發(fā)生四方畸變使Ni 原子之間間 距增大，導(dǎo)致局域磁矩消失。另外，在0%~31%Pt(摩爾分?jǐn)?shù))范圍內(nèi)，隨著含量的增加，居里轉(zhuǎn)變溫度滿(mǎn)足Tc=354.3-9.413XPt 線(xiàn)性降低[27]。

3、鎳鉑合金靶材的制備方法

靶材制備方法主要為熔煉法和粉末冶金法[28]，鎳鉑合金靶材的傳統(tǒng)制備的方法是粉末冶金法，將高純Ni 粉與Pt 粉燒結(jié)成合金塊體再進(jìn)行后續(xù)加工，此方法相比于熔煉法可使鎳鉑合金獲得更好的可加工性，但致密度難以滿(mǎn)足要求并且制備過(guò)程中易混入雜質(zhì)，尤其是氣體雜質(zhì)混入將引起濺射過(guò)程中異常放電現(xiàn)象[29]。目前通常使用真空熔煉法來(lái)制備鎳 鉑合金靶材，真空熔煉法包括真空感應(yīng)熔煉和真空電子束熔煉等方法，為了獲得雜質(zhì)含量低(尤其氣體成分)、高致密且成分均勻的合金鑄錠，熔煉后的鑄錠需要一次或多次精煉，以真空電子束熔煉為例，熔體中飽和蒸氣壓較高的雜質(zhì)元素如Cu、Mg、Al等被迅速揮發(fā)到氣相中并被抽真空帶到爐體外，在反復(fù)精煉中逐漸達(dá)到提純的目的。同時(shí)，精煉也避 免了氣體在鑄錠凝固初期形核，并在隨后連續(xù)冷卻過(guò)程中長(zhǎng)大而形成疏松、氣孔、縮孔等鑄造缺陷[30]。

真空熔煉所獲得的鑄錠還需要進(jìn)一步塑性加工、熱處理和機(jī)械加工，與銅背板焊合，經(jīng)超聲檢測(cè)、清洗真空包裝等步驟，才能獲得合格的靶材產(chǎn)品，具體流程如圖4 所示。

為了獲得高質(zhì)量的鎳鉑合金靶材，除了純度、致密度滿(mǎn)足要求之外，組織均勻、晶粒尺寸及晶粒取向也是影響最終鍍膜質(zhì)量的關(guān)鍵因素。鎳鉑合金靶材微觀(guān)組織結(jié)構(gòu)主要由塑性加工與熱處理相結(jié)合的手段來(lái)控制。通常先將鎳鉑合金鑄錠熱鍛成塊或者采用熱軋的方式消除鑄態(tài)組織，達(dá)到減小變形抗力并且達(dá)到細(xì)化晶粒的效果，再采用多次冷軋與真空熱處理相結(jié)合的方式來(lái)控制合金微觀(guān)組織結(jié)構(gòu)。

鎳鉑合金靶材最終平均晶粒尺寸可控制在20~200μm 之間，晶粒取向隨機(jī)分布[31]。

4、鎳鉑合金靶材發(fā)展趨勢(shì)

超高純、高利用率與良好的濺射沉積均勻性是高質(zhì)量靶材所追求的優(yōu)良特性，因此在靶材基本制備方法的基礎(chǔ)上，需要不斷優(yōu)化工藝提高靶材質(zhì)量，具體地，從高純化、提高磁透率(PTF)以及組織結(jié)構(gòu)控制等方面提高靶材質(zhì)量，將成為鎳鉑合金靶材制備工藝的發(fā)展趨勢(shì)。

4.1 高純化

半導(dǎo)體用濺射靶材對(duì)質(zhì)量要求非常高，尤其是對(duì)靶材化學(xué)純度的控制，原因是雜質(zhì)的存在將嚴(yán)重影響靶材及相應(yīng)薄膜的質(zhì)量，引起濺射時(shí)異常放電等現(xiàn)象[32]。目前，國(guó)內(nèi)外鎳鉑合金靶材在純度方面的差距顯著，國(guó)內(nèi)所生產(chǎn)的鎳鉑合金靶材能達(dá)到4N級(jí)，而日本相關(guān)靶材廠(chǎng)家制備的鎳鉑靶可以達(dá)到5N以上。

4.2 提高磁透率

提高鎳鉑合金磁透率(PTF)對(duì)提高靶材利用率有著重要意義。鎳含量較高的鎳鉑合金靶材具有較強(qiáng)的磁性，磁控濺射時(shí)磁場(chǎng)很容易被靶材所分流，從而減少穿越至表面的磁力線(xiàn)，使起輝或維持放電相對(duì)困難，同時(shí)也會(huì)導(dǎo)致比如沉積膜厚不均勻等問(wèn)題，雖然減少靶材厚度(一般<3 mm)可以提高磁透率，但靶材的使用壽命短、利用率低。提高磁透率的方法主要有添加合金元素、改變靶材外形設(shè)計(jì)或者在濺射時(shí)使操作溫度高于靶材的居里溫度等。

4.3 組織結(jié)構(gòu)控制

靶材的組織結(jié)構(gòu)控制也與濺射沉積均勻性有密切關(guān)系[33]。通常濺射靶材晶粒尺寸需要控制在200μm 以下，而且晶粒尺寸越細(xì)小均勻，濺射鍍膜的厚度分布越均勻，濺射速率也越快。另外，晶體織構(gòu)控制對(duì)于濺射靶材十分重要，不同處理工藝的靶材有著不同的織構(gòu)，對(duì)于鎳以及一些面心立方金屬，<200>取向的織構(gòu)對(duì)于均勻鍍膜與延長(zhǎng)靶材壽命十 分有利，而大量<111>以及<113>取向織構(gòu)的存在卻十分不利，原因很可能是大量<111>、<113>取向織構(gòu)的存在，將導(dǎo)致磁力線(xiàn)分流而不是垂直于工件與靶材空間，此時(shí)即使靶材具有較高的磁透率（>45%)和細(xì)小的晶粒尺寸（<100 μm），其鍍膜均勻性以及靶材壽命都難以滿(mǎn)足需要[34]。鎳鉑合金靶材的晶體織構(gòu)以及織構(gòu)控制工藝研究并未有文獻(xiàn)和專(zhuān)利報(bào)道，鎳鉑合金靶材的晶體織構(gòu)與靶材濺射性能的關(guān)聯(lián)性研究以及織構(gòu)控制等方面將是成為鎳鉑合金濺射靶材新的研發(fā)趨勢(shì)。

5、結(jié)語(yǔ)

鎳鉑硅化物作為優(yōu)良的接觸材料廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中，鎳鉑合金濺射靶材成為保證半導(dǎo)體器件性能和發(fā)展半導(dǎo)體技術(shù)的關(guān)鍵材料，其不斷增長(zhǎng)的需求量為中國(guó)貴金屬靶材制造業(yè)的發(fā)展提供了機(jī)遇和挑戰(zhàn)。

1) 不同Pt 含量的鎳鉑合金濺射靶材在導(dǎo)體制造工藝中發(fā)揮了重要作用，尤其是通過(guò)鎳鉑合金濺射靶材成分配比調(diào)節(jié)肖特基勢(shì)壘高度以及在新的技術(shù)節(jié)點(diǎn)里，依次采用不同Pt 含量的鎳鉑合金濺射靶材來(lái)制備具有梯度結(jié)構(gòu)的鎳鉑硅化物接觸薄膜從而降低接觸電阻。

2) 滿(mǎn)足一定原子配比的鎳鉑合金在相應(yīng)臨界溫度以下形成L12Ni3Pt、L10NiPt、L12NiPt3 三種有序相。Ni-Pt 合金磁性隨Pt 含量增加由鐵磁性向順磁性轉(zhuǎn)變，磁性轉(zhuǎn)變的臨界成分約為42.5%Ni(摩爾分?jǐn)?shù))。

3) 鎳鉑合金濺射靶材的制備方法主要采用真空熔煉法，并通過(guò)塑性加工與熱處理相結(jié)合的方式來(lái)控制靶材微觀(guān)組織結(jié)構(gòu)。針對(duì)不同成分鎳鉑合金的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，濺射靶材制備需要相關(guān)制備方法以及工藝參數(shù)的調(diào)整。

4) 高純化、靶材組織結(jié)構(gòu)控制以及提高磁透率(PTF)將成為鎳鉑合金靶材制備工藝的發(fā)展趨勢(shì)。提高靶材純度到5N 以上，晶粒大小均勻且平均晶粒尺寸控制在200 μm 以下，是目前鎳鉑靶材工藝優(yōu)化的目標(biāo)，另外，鎳鉑合金靶材的晶體織構(gòu)與靶材濺射性能的關(guān)聯(lián)性研究以及織構(gòu)控制等方面也將是鎳鉑合金濺射靶材新的研發(fā)趨勢(shì)。

參考文獻(xiàn)：

[1] 馬勤, 閻秉鈞, 康沫狂, 等. 金屬硅化物的應(yīng)用與發(fā)展[J]. 稀有金屬材料與工程, 1999, 28(1): 10-13.

MA Q, YAN B J, KUANG M K, et al. Application anddevelopment of metal silicon[J].Rare metal materials andengneering, 1999, 28(1): 10-13.

[2] 屠海令, 王磊, 杜軍. 半導(dǎo)體集成電路用金屬硅化物的制備與檢測(cè)評(píng)價(jià)[J]. 稀有金屬, 2009, 33(4): 453-461.

TU H L, WANG L, DU J. Evaluation of the preparationand detection of metal silicon for semiconductorintegrated circuits[J]. Rare metals,2009, 33(4): 453-461.

[3] 黃益飛. 鎳合金(NiPt、NiAl、NiY)硅化物固相反應(yīng)及其與Si 肖特基接觸特性研究[D]. 上海: 復(fù)旦大學(xué),2008.

HUANG Y F. Research on nickel alloy (NiPt, NiAl, NiY)silicide solid phase reaction and its schottky contactfeatures with silicon[D]. Shanghai: Fudan University, 2008.

[4] 黃偉, 張利春, 高玉芝, 等. Ni(Pt)Si 硅化物溫度穩(wěn)定性的研究[J]. 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展, 2005, 25(3):422-426.

HUANG W, ZHANG L C, GAO Y Z, et al. Investigationon temperature stability of Ni(Pt)Si silicide[J]. Research& progress of SSE, 2005, 25(3): 422-426.

[5] 張青竹, 高建峰, 許靜, 等. 超薄Ni0.86Pt0.14 金屬硅化物薄膜特性[J]. 半導(dǎo)體制造技術(shù), 2014, 39(5): 370-375.

ZHANG Q Z, GAO J F, XU J, et al. Study of ultrathinNi0.86Pt0.14 silicide film[J]. Semiconductor manufacturingtechnologies, 2014, 39(5): 370-375.

[6] 寧寶俊, 高玉芝, 趙志禮, 等. 金屬硅化物-硅功率肖特基二極管[J]. 北京大學(xué)學(xué)報(bào): 自然科學(xué)版, 1993, 29(1):71-78.

NING B J, GAO Y Z, ZHAO Z L, et al. Silicide-Si powerSchottky diode[J]. Universitatis Pekinensis: Actascientiarum naturalium, 1993, 29(1): 71-78.

[7] 陳守迎, 董軍, 單維剛, 等. 肖特基二極管芯片、器件及芯片復(fù)合勢(shì)壘的制備方法: CN103681885A[P].2014-3-26.

[8] THOMAS S. Composition profiles and Schottky barrierheights of silicides formed in NiPt alloy films[J]. Journalof applied physics, 1976, 47(1): 301-307.

[9] 許桂貴, 吳景, 黃志高. 表面合金化對(duì)NiPt 金屬柵電極功函數(shù)的影響[J]. 福建師范大學(xué)學(xué)報(bào), 2012, 28(3):50-53.

XU G G, WU J, HUANG Z G. The influence of surfacealloying on work function of metal gate[J]. Journal ofFujian Normal University, 2012, 28(3): 50-53.

[10] XU G, WU Q, CHEN Z, et al. Disorder and surfaceeffects on work function of Ni-Pt metal gates[J]. Physicalreview B, 2008, 78(11): 54201-54206.

[11] 王菁, 李美成, 吳敢, 等. 降低肖特基勢(shì)壘高度的途徑探討[J]. 半導(dǎo)體光電, 2000, 21(4): 261-265.

WANG J, LI M C, WU G, et al. Research on reduction ofthe height of Schottky barriers[J]. Semiconductoroptoelectronics, 2000, 21(4): 261-265.

[12] LAUWERS A, KITTL J A, DAL M J H V, et al. Ni basedsilicides for 45 nm CMOS and beyond [J]. Materialsscience and engineering B, 2004(s114/115): 29-41.

[13] LAI J, CHEN Y W, HO N T, et al. NiPt salicide processimprovement for 28 nm CMOS with Pt(10%) additive[J].Microelectronic engineering, 2012, 92(2): 137-139.

[14] IMBERT B, PANTEL R, ZOLL S, et al. Nickel silicideencroachment formation and characterization[J]. Microelectronic engineering, 2010, 87(3): 245-248.

[15] PANCIERA F, HOUMMADA K, PERRIN C, et al.Ni(Pt)-silicide contacts on CMOS devices: Impact ofsubstrate nature and Pt concentration on the phase formation[J]. Microelectronic engineering, 2014, 120(10):34-40.

[16] IMBERT B, GUICHET C, BONNETIER S, et al. Impactof surface preparation on nickel–platinum alloy silicidephase formation[J]. Microelectronic engineering, 2007, 84(11): 2523-2527.

[17] 邵玲, 王廣欣, 趙學(xué)義. 鎳鉑合金靶材及其制備方法:CN1O4018120A[P]. 2014-09-03.

[18] ALPTEKIN E. NixPt1-xSi/n-Si contacts with sub-0.1 eVeffective Schottky barrier heights obtained by sulfursegregation[J]. Microelectronic engineering, 2010, 87(11):2358-2360.

[19] LUO J, QIU Z J, DENG J, et al. Variation of Schottkybarrier height induced by dopant segregation monitoredby contact resistivity measurements[J]. Microelectronicengineering, 2014, 120(6): 174-177.

[20] FRYE A, SIMON A. Nickel-silicide formation withdifferential Pt composition: US20120153359Al[P].2012-06-21.

[21] OKAMOTO H. Ni-Pt (Nickel-Platinum)[J]. Journal ofphase equilibria & diffusion, 2010, 31(3): 322.

[22] GREENHOLZ M, KIDRON A, SHIMONY U. Longrangeand short-range order in NiPt[J]. Journal of sppliedcrystallography, 1974, 7(1): 83-86.

[23] GREENHOLZ M, KIDRON A, SHIMONY U. Kineticsof ordering in NiPt [J]. Journal of materials science, 1972,7(11): 1285-1291.

[24] CHE X, LI J, DAI Y, et al. Structural stability andmagnetism of metastable Ni-Pt intermetallic compoundsstudied by ab initio calculation[J]. Science in China seriesE: Technological sciences, 2009, 52(9): 2681-2687.

[25] LU X G, SUNDMAN B, A?GREN J. Thermodynamicassessments of the Ni-Pt and Al-Ni-Pt systems[J].Calphad, 2009, 33(3): 450-456.

[26] KUMAR U, MUKHOPADHYAY P K, SANYAL B, et al.Experimental and theoretical study of annealed Ni-Ptalloys [J]. Physical review B, 2006, 74(6): 4401.

[27] NASH P, SINGLETON M F. The Ni-Pt (Nickel-Platinum)system[J]. Journal of phase equilibria & diffusion, 1989,10(10): 258-262.

[28] 尚再艷, 江軒, 李勇軍, 等. 集成電路制造用濺射靶材[J]. 稀有金屬, 2005, 29(4): 475-477.

SHANG Z Y, JIANG X, LI Y J, et al. Sputtering targetsfor integrated circuit manufacturing[J]. Rare metals, 2005,29(4): 475-477.

[29] SHINDO Y. Method of manufacturing a Ni-Pt alloy:US7959782 B2[P]. 2011-6-14.

[30] 尚再艷, 張濤, 陳明, 等. 鎳的電子束熔煉提純研究[J].稀有金屬, 2013, 37(1): 116-122.

SHANG Z Y, ZHANG T, CHEN M, et al. Purification ofnickel ingot prepared by electron beam melting[J]. Raremetals, 2013, 37(1): 116-122.

[31] 朱曉光, 羅俊峰, 劉紅賓, 等. 一種高純NiPt 合金靶材及其制備方法: CN104726829A[P]. 2015-06-24.

[32] 楊邦朝, 崔紅玲. 濺射靶材的制備與應(yīng)用[J]. 真空,2001, 6(3): 11-15.

YANG B C, CUI H L. Preparation and application ofsputtering targets[J]. Vacuum, 2001, 6(3): 11-15.

[33] 王一晴, 聞明, 郭俊梅, 等. 半導(dǎo)體工業(yè)用鎳鉑合金靶材的制備及結(jié)構(gòu)研究[J]. 貴金屬, 2015, 36(4): 27-31.

WANG Y Q, WEN M, GUO J M, et al. Preparation andstructure of NiPt alloy target used in semiconductorindustry[J]. Precious metals, 2015, 36(4): 27-31.

[34] ABBURI M, RAMASWAMI S. Target for use inmagnetron sputtering of nickel for forming metallizationfilms having consistent uniformity through life: US20030015420A1[P]. 2003-01-23.

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